无论是在设计可编程电源，还是维修电焊机，伺服等等，我们总能看见场效应管的身影，熟练掌握它们的特性，并善加利用，是我们每个电气攻城狮都必须的功课。

增强型：vgs=0时，漏源之间没有导电沟道，在vds作用下无id。

耗尽型：vgs=0时，漏源之间有导电沟道，在vds作用下id。

1、结构和符号(以n沟道增强型为例)

在一块浓度较低的p型硅上扩散两个浓度较高的n型区作为漏极和源极，半导体表面覆盖二氧化硅绝缘层并引出一个电极作为栅极。

其他mos管符号

2、工作原理(以n沟道增强型为例)

(1) vgs=0时，不管vds极性如何，其中总有一个pn结反偏，所以不存在导电沟道。

vgs =0， id =0

vgs必须大于0

管子才能工作。

(2) vgs>0时，在sio2介质中产生一个垂直于半导体表面的电场，排斥p区多子空穴而吸引少子电子。当vgs达到一定值时p区表面将形成反型层把两侧的n区沟通，形成导电沟道。

 

vgs >0→g吸引电子→反型层→导电沟道

vgs↑→反型层变厚→ vds ↑→id↑

(3) vgs≥vt时而vds较小时：

vds↑→id ↑

vt：开启电压，在vds作

用下开始导电时的vgs°

vt = vgs —vds

(4) vgs>0且vds增大到一定值后，靠近漏极的沟道被夹断，形成夹断区。

vds↑→id 不变

3、特性曲线(以n沟道增强型为例)

场效应管的转移特性曲线动画

4、其它类型mos管

(1)n沟道耗尽型：制造时在栅极绝缘层中掺有大量的正离子，所以即使在vgs=0时，由于正离子的作用，两个n区之间存在导电沟道(类似结型场效应管)。

(2)p沟道增强型：vgs = 0时，id = 0开启电压小于零，所以只有当vgs < 0时管子才能工作。

(3)p沟道耗尽型：制造时在栅极绝缘层中掺有大量的负离子，所以即使在vgs=0 时，由于负离子的作用，两个p区之间存在导电沟道(类似结型场效应管)。

5、场效应管的主要参数

(1) 开启电压vt ：在vds为一固定数值时，能产生id所需要的最小 |vgs | 值。(增强)

(2) 夹断电压vp ：在vds为一固定数值时，使 id对应一微小电流时的 |vgs | 值。(耗尽)

(3) 饱和漏极电流idss ：在vgs = 0时，管子发生预夹断时的漏极电流。(耗尽)

(4) 极间电容 ：漏源电容cds约为 0.1～1pf，栅源电容cgs和栅漏极电容cgd约为1～3pf。

(5) 低频跨导 gm ：表示vgs对id的控制作用。

在转移特性曲线上，gm 是曲线在某点上的斜率，也可由id的表达式求导得出，单位为 s 或 ms。

(6) 最大漏极电流 idm

(7) 最大漏极耗散功率 pdm

(8) 漏源击穿电压 v(br)ds 栅源击穿电压 v(br)gs